奈米碳管 | 純度 | 殘留雜質量測 (X 光光電子能譜儀)

奈米碳管典型的製備方法，包括電弧放電、雷射剝蝕、化學氣相沉積 (chemical vapor deposition, CVD)。這些方法都會在奈米碳管中生成副產物，例如非晶形碳、碳奈米顆粒、富勒烯、金屬奈米顆粒等，因此奈米碳管需再純化。富勒烯可溶於有機溶劑，可透過萃取去除；金屬雜質可透過酸處理去除。如果純化不完全，則可能殘留微量雜質。

X 光光電子能譜法只需要 0.1 mg 的樣品量，即可對純化過程中使用的酸所含的催化劑元素及雜質元素，進行高靈敏度量測。
單壁奈米碳管 (SWNT) 的 X 光光電子能譜量測結果，如下所示。
X 光光電子能譜法可對奈米碳管純化過程中使用的酸所含的催化劑元素及雜質元素，進行有效且高靈敏度的量測。本實驗中測得來自催化劑的鐵 (Fe) 及來自酸的氯 (Cl)。
理論上，此方法可有效分析化學修飾奈米碳管的修飾基。

X-ray Photoelectron Spectrometer

Micro XPS 儀器可自動執行導入樣品到開始分析的過程，分析位置可依 CCD 相機影像或即時光電子影像，快速設定在 110 mm 直徑樣品台上的任何一點。革命性的專利中和法，可產生高解析度頻譜，且不損壞樣品，因此能夠對過去難以分析的有機物進行微量分析。