EPMA-8050G - 特色
EPMA-8050G 電子微探儀
前所未有的空間解析度
系統在用於分析的射束電流條件下，提供極致的二次電子影像解析度。(使用 10 kV 加速電壓時，10 nA 下 20 nm / 100 nA 下 50 nm / 1 μA 下 150 nm)。相較於傳統電子槍 (CeB6，鎢絲)，結果非常清晰。
可用較傳統電子槍顯著更大的射束電流，取得相同解析度影像，因此可進行極高靈敏度的 X 光分析。
另一個關注點是以 1 μA 射束電流進行 SEM 造影。只有 EPMA-8050G 能提供至少 1 μA 的射束電流，且將射束精細聚焦到這個點。
電子槍射束特性的比較 (10 kV 加速電壓)
最高達 3 nm 二次電子影像解析度
這是在碳上沉積的金顆粒之樣品觀察。達到 3 nm (30 kV 下) 的最大解析度。即使在相對大射束電流下，射束仍可對焦，因此可輕易取得平順、高解析度的 SEM 影像。
大射束電流可進行超高靈敏度分析
在 FE 類型的 SEM 和 EPMA 中，此系統獨特的大射束電流 (30 kV 加速電壓下最大 3 μA) 可大幅增強超微量元素的偵測靈敏度。這可在元素測繪中進行超微量成分造影。
此外在整個射束電流範圍內不需要更換物鏡孔徑，因此分析流程可完全自動化，不需要擔心軸偏移。
這三張影像顯示使用不同射束電流，不鏽鋼內約 1% Si 的測繪分析結果*。隨著射束電流增加，粗糙度降低，得以精準識別含 Si 的區域。
* 在所有測量中，加速電壓為 10 kV，且取樣間隔為 50 msec。
測量需要約 1 小時。
可安裝最多五組高效能 4 吋 X 光光譜儀
維持對分析效能非常重要的 52.5° X 光輸出角度。
低 X 光吸收導致高靈敏度
高 X 光輸出角度也可降低吸收效應，例如分析深孔底部或孔內的異物時。
坑洞內異物的分析資料。左下為鐵 (Fe) 的分佈；右下為鈦 (Ti) 的分佈。EPMA-8050G 使用的高輸出角度，確保粗糙樣品的高準確度分析。
Johanson 類型分析晶體達到完美收斂。
島津應用其在公司長期研發的獨特晶體製造專業知識，提供可同時達到高靈敏度和高解析度的分析晶體。Johanson 類型分析晶體可達到完美收斂而沒有像差。
EPMA-8050G 可容納最多五組 4 吋光譜儀，同時提供高靈敏度和高解析度。
X 光光譜儀內的 Rowland 環半徑，是影響 EPMA 分析效能的一項重要因素。將 Rowland 環的半徑增加一吋，會讓偵測靈敏度降低超過 30%。島津 EPMA 儀器可容納最多五組 4 吋光譜儀，以涵蓋整個光譜範圍。
為所有分析提供簡單且易於了解的操作
此系統配備一些全新功能，可進行簡單且易於了解的操作。這些包括進階操作效能，只需滑鼠就可控制全部操作，以及設計易於了解的使用者介面，和內建的簡易模式分析。雖然簡單到可讓初學者使用，但也支援由經驗豐富的使用者進行精細分析。
- 可輕易進行從樣品安裝到報告產生的一切操作。
- 即使初學者也能輕易執行從樣品搜尋到 SEM 造影的一切操作。
- 前所未有的操作性可在開始分析前大幅提升操作效率。
- 使用者介面的視覺設計容易了解。
- 配備簡易模式分析，可自動化包含產生報告在內的全部流程。
進階技術可進行微小面積的超高靈敏度分析
1. 高亮度肖特基發射極
FE 電子槍採用較 SEM 一般使用款式之尖端直徑更大的高輸出肖特基發射極 (Schottky emitter)。可取得對高靈敏度分析不可或缺的穩定明亮電子束。
2. 特殊 EPMA 電子光學系統
電子光學系統具有專有配置和控制方法 (日本專利字號 4595778)。聚光透鏡設置在盡可能接近電子槍的位置。不會和聚光透鏡而和光圈鏡頭形成交越，而物鏡孔徑排列在相同位置。雖然這是簡單的鏡頭配置，但可取得大電流。同時可在所有電流條件下最佳化光圈角，盡量縮小射束直徑。自然也不需要更換物鏡孔徑。
3. 超高真空系統
已採用一個兩級差速抽出抽真空系統，在電子槍腔室、中間腔室和分析腔室之間的孔口分隔。縮小中間腔室和分析腔室之間的孔口，會限制進入中間腔室的氣流。電子槍腔室始終維持超高真空等級，以穩定發射極的操作。
4. 具有高靈敏度的 X 光光譜儀
系統可配備最多五組 4 吋 X 光光譜儀，同時提供高靈敏度和高解析度。
52.5° X 光輸出角度可增強 X 光訊號的空間解析度，同時以樣品的最低 X 光吸收進行高靈敏度分析。