可將描跡功能加入標準測繪分析中。對於表面不規則或傾斜的樣品，高度隨 X-Y 位置改變時，可修正樣品的 Z 軸高度，在盡量避免訊號強度減少的情況下進行高準確度測繪分析。
此特色是透過在分析期間，依據事先從多點取得的高度資料，微量控制平台的 Z 軸座標而達成。從配置高度資料找到的描跡表面，可經由輪廓線和 3D 顯示確認。
基本原理示例
測繪分析結果
20 分硬幣樣品範例：Cu 測繪
透過使用描跡可取得較正確的元素分佈。
* 描跡在圖片和周邊置中。並未標定星星和邊界。
描線分析
如同描跡測繪分析，可將描跡功能加入標準線分析。
相位分析程序
針對每種元素，從測繪資料取得的 2D 或 3D 相關性建立散佈圖。元素之間具有特定關係的區域，會以不同顏色顯示。
此外，可同時顯示多張散佈圖，可觀察多種元素之間的相關性。
特色
透過建立散佈圖的 3D 影像，可從多種觀察點觀察相關性。
在元素和散佈圖之間切換時，可分析多重相關性。
電子射束穿透區塊
可模擬分析從樣品表面穿透的照射電子射束之深度和寬度。可透過使用電子範圍方法，找出電子射束擴散大小和分析區塊，或蒙地卡羅方法，追隨個別電子軌跡以取得總電子軌跡 (穿透區塊)，計算初級 X 光發射量。
